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MJD122
封装: TO252 MJD122 这些器件采用平面技术制造,具有“基岛布局和单片达林顿配置,所产生的晶体管具有非常低的饱和电压和非常高的增益性能。特点:低集电极-发射极饱和电压综合的反并联集-发射二极管
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